Étude de la transmission anormale des rayons X dans des cristaux de silicium. II. Application aux cristaux imparfaits
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1961
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André Authier, « Étude de la transmission anormale des rayons X dans des cristaux de silicium. II. Application aux cristaux imparfaits », Bulletin de Minéralogie, ID : 10.3406/bulmi.1961.5462
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Résumé
On montre comment l'on peut utiliser les images de dislocations obtenues à l'aide de la transmission anormale des rayons X dans des cristaux tels que [a d — 6 pour reconstruire dans l'espace une ligne de dislocation. Les images de dislocations se présentent sous la forme d'un double trait, noir et blanc, si le défaut est situé sur la face de sortie du cristal et sous la forme d'un triple trait, noir-blanc-noir, si la dislocation est située à l'intérieur du cristal. On décrit un modèle théorique qui permet de calculer le profil des images, d'interpréter les caractéristiques observées expérimentalement et d'obtenir l'ordre de grandeur du champ de déformation à grande distance d'une dislocation.