Two-step cycling process alternating implantation and remote plasma etching for topographically selective etching: Application to Si 3 N 4 spacer etching
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2019
- ISIDORE Id: 10670/1.8a66b9...
- halshs: halshs-02428534
- doi: 10.1063/1.5131030
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Vincent Renaud et al., « Two-step cycling process alternating implantation and remote plasma etching for topographically selective etching: Application to Si 3 N 4 spacer etching », HAL-SHS : l'archive ouverte pour les sciences humaines et sociales, ID : 10.1063/1.5131030
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